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刘洪飞; 刘燕; 董军恒;
中国电子学会;
广州市科协;
气相掺杂; FZ单晶; 电阻率; 区熔单晶;
机译:FZ生长过程中HF电磁场的三维对Si单晶电阻率变化的影响
机译:用于通过光学浮区(FZ)的单晶的单晶生长的现代设备(FZ)
机译:FZ法生长La掺杂六角形BaTiO_3单晶的介电性能
机译:B掺杂FZ和GA-掺杂CZ晶片上的高效单晶硅太阳能电池
机译:通过化学气相沉积法在单晶镍基高温合金上合成α-氧化铝和氟化氢掺杂的β-镍铝化物涂层。
机译:单晶银的杂质掺杂导致电阻率异常下降
机译:控制化学气相沉积铝掺杂氧化锌中的电阻率梯度
机译:Li +漂移揭示氮掺杂FZ硅的微观缺陷
机译:通过区域拉制从硅制造单晶包括:用掺杂材料掺杂单晶并产生单晶的纵向截面,其中单晶具有恒定的电阻率
机译:制备掺杂有氧化锌的玻璃涂层的方法,低电阻率,在大气压力下气相沉积的方法,以制备掺杂有氧化锌的玻璃制品的方法,在压力为Sf的条件下气相沉积。 u00e9rica制备涂覆有氧化锌掺杂玻璃的制品和制品
机译:FZ法制造半导体单晶时的测量方法及系统,FZ法制造半导体单晶时的控制方法及系统
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