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气相掺杂区熔硅单晶的掺杂剂量计算方法研究

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摘要

随着电力电子技术的发展,对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫,欧美主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟,而我国还处于起步阶段.主要从理论方面分析气相掺杂过程PH3进入晶体中的方式和过程,并对掺入量的计算过程进行了详细说明.

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来源
《电子工业专用设备》 |2013年第10期|50-53|共4页
作者
史继祥; 索开南;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

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正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
气相掺杂; 电阻率; 区熔; 原子浓度;

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