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中国电子学会;
广州市科协;
位错密度; 氮化镓厚膜; 氢化物气相外延法; x射线衍射; 晶体缺陷;
机译:通过具有超低位错密度的Si掺杂金属有机气相外延GaN模板,通过氢化物气相外延生长的高质量2英寸大块自由态GaN
机译:氢化物气相外延生长的GaN层中残余应力与螺纹位错密度的相关性
机译:氢化物气相外延生长a面GaN厚膜的简单生长方法
机译:载气对氢化物气相外延生长GaN厚膜的影响
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:通过氢化物气相外延从硅衬底提取的独立式GaN晶体中电子陷阱能级的初步观察
机译:在各种条件下由氢化物气相外延生长的未掺杂GaN膜中的深陷阱光谱
机译:氢化物气相外延生长氮化镓中杂质的作用
机译:氢化物气相外延生长平面内低位错密度的m平面氮化镓
机译:氢化物气相外延生长平面减少的位错密度m平面氮化镓
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