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PVT法SiC单晶生长过程中的晶型变化

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本文报导对采用PVT法生长的6H-SiC单晶体切片的晶型和晶体结构的Raman光谱和X射线衍射谱分析.结果表明,采用含一定比例同质异晶型(Polytype)的6H-SiC籽晶生长的单晶体仍含有该种同质异晶型,但其比例在生长过程的不同阶段有明显变化.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|554-556|共3页
会议地点广西北海
作者
刘博; 陈治明; 封先锋;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
SiC; PVT法; 同质异晶型; 单晶生长;

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