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许军;
中国电子学会;
N,2气;
机译:在沟道工程深亚微米n-MOSFET器件上研究混合信号应用中不同等效氧化物厚度的栅极介电常数变化
机译:无边界接触的蚀刻停止层对深亚微米CMOS器件性能的影响—对比研究
机译:深亚微米nMOSFET中铟注入引起的损伤的综合研究:器件表征和损伤评估
机译:深亚微米CMOS技术中GGNMOS器件的ESD特性
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:具有金纳米粒子的氧化石墨烯器件中的非极性和互补电阻切换特性:器件制造的多种方法
机译:EsD条件下深亚微米器件的亚连续热模拟
机译:深亚微米器件的三维仿真。杂质原子如何影响电导率
机译:在基板中具有半导体元件的半导体器件-在半导体元件之间的区域中具有金属布线层,并且与布线层绝缘的评估器件用于研究电特性
机译:研究流体特性并生产用于研究流体特性的pol挤压设备的方法,用于生产pol的设备,用于监测从第一产品规格向第二产品规格过渡的方法和设备在聚合过程中,以及pol u00ecmero的产物
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
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