多指PHEMT器件热点和热阻数值研究

摘要

该文主要研究了自热效应对栅长为500nm的金属—半导体GaAs高电子迁移率场效应晶体管PHEMT的电学特性以及热学特性的影响.从泊松方程、连续性方程、输运方程和晶格热方程出发,通过电热耦合方程组对PHEMT器件进行建模,利用非等温能量平衡模型(NEB)对PHEMT进行数值分析,获得了自热效应下多指器件的电流电压特性曲线、热点位置和温度分布等特性.并应用火积理论,进一步分析了器件的广义热阻.