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N型硅基底的全发射极激光掺杂及后续退火和去富硼层

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摘要

采用了蒸镀氧化硼的方法,确保了激光掺杂时硼源的均匀性,之后进行激光掺杂.在激光功率不变的情况下,氧化硼薄膜的厚度决定了掺杂后硅片的平均方阻.掺杂后p-n结的结深为1.2～1.5um.退火能有效的降低硅片的方阻,提高方阻的均匀性,氧化去富硼层则会一定程度上增大方阻,减小方阻的均匀性.

著录项

来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|243|共1页
会议地点北京
作者
许烁烁; 陈树拳; 沈辉;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
硅片器件; 全发射极激光掺杂工艺; 退火处理; 物理性能;

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