低温一步法和三步法制备CIGS薄膜的形貌分析

摘要

应用多元共蒸发设备分别在PI(聚酰亚胺)衬底上采用一步法和三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜。CIGS薄膜附着性良好,表面平整、光洁。扫描电镜分析两种制备方法所得CIGS薄膜在形貌上存在较大差异。