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Du Longhuan; 杜龙欢; Rong Limei; 荣丽梅; Du Jiangfeng; 杜江峰; Yu Qingwei; 于庆伟; Zheng Xiaoming; 郑小明;
中国半导体行业协会;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
氧化硅; 硅元素; 原子结构; 电子特性; 界面缺陷;
机译:使用多孔氧化铝上硅模板技术对Si表面和Si / SiO2界面进行纳米结构化。 Si / SiO2界面的电气特性
机译:扭曲键合Si / Si和Si / SiO2界面的掠入射X射线研究
机译:Si–SiO2界面:原子结构和电特性的相关性
机译:电场对石墨烯/α-SiO2界面原子结构的影响
机译:基于光学UVC锰的光学UVC光学光导的加工和应用SiO2光导=光学UVC气体传感器技术的SiO2基于SiO2的波导
机译:周围环境对生长的纳米晶体的原子结构和平衡形状的影响:SiO2中的金/ SiO2
机译:SiO2上超薄Ge / Si膜的机械稳定性:Si / SiO2界面的影响
机译:si / siO2界面的结构,组成和应变分布
机译:Si / SiO2界面氟掺杂过程中控制SiO2腐蚀的方法
机译:降低sic / sio2界面状态的制造方法
机译:用SiO2外部添加剂处理电子纸表面的方法及用该方法制备的SiO2外部添加剂处理电子纸的表面
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