基于混合表面改性的硅量子点的近红外发光二极管

摘要

硅是当前最重要的半导体材料,然而硅的体材料的发光性能明显不足.作为硅的一种重要的低维结构,硅量子点则具有良好的发光性能,并且已经应用于光电器件和生物标记等领域.用两种不同类型的表面改性剂，即烯丙苯和卜辛烯对硅量子点表面进行混合改性，综合发挥二者的优势，获得具有高荧光量子效率、优良导电性能、较低表面缺陷密度的硅量子点。随后，使用这类经过混合表面改性的硅量子点制备有机／无机杂化发光二极管(LED)。器件测试结果表明，利用表面混合改性的硅量子点可以制备出外量子点效率(EQE)超过5%的近红外LED。