硅三极管瞬态效应峰中的γ贡献份额分析

摘要

早期实验中观察到三极管器件在瞬态辐照过程中其直流增益变化形成了显著的“辐照效应峰”现象,初步分析是由电离效应和位移效应共同作用导致的.为了考察伴随γ射线对“辐照效应峰”的贡献,选用3DG121C器件在CFBR-Ⅱ堆上设计开展了实验,通过对实验数据的分析和处理,获得了定量分析结果:瞬态辐照过程中,铝盒和铅盒中伴随γ射线对“辐照效应峰”的相对贡献分别为47.4％和30.1％.