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BeO-SiC复合衰减材料的制备及其性能

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以氧化铍、碳化硅为原料.采用热压烧结工艺,在1800～1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合陶瓷材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能.研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1800～1900℃制备组织致密均匀的BeO-SiC复合材料;采用SiC为原料的BeO-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能.

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来源
《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》||30-32|共3页
会议地点江苏无锡
作者
GUAN Jian-bo; 管建波; WEI Fang-ming; 韦方明; ZENG Zhi-yan; 曾志彦;
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作者单位

中国真空电子行业协会;

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会议组织
正文语种
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中图分类
关键词
复合陶瓷; 氧化铍; 碳化硅; 热压烧结; 微波衰减性能; 导热性能;

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