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全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会

召开年：2016
召开地：江苏无锡
出版时间： 2016-09-25

主办单位：中国真空电子行业协会

会议文集：全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会论文集

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1.直接覆铜陶瓷板界面及其高温行为研究
- ZHANG Shan-shan;张珊珊;YANG Hui-sheng;杨会生;YAN Lu-chun;颜鲁春;PANG Xiao-lu;庞晓露;GAO Ke-wei;高克玮;LI Lei;李磊;LI Zhong-zheng;李中正
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：本研究利用大电流高密度等离子体溅射沉积技术,在Al2O3和AlN陶瓷板的表面沉积不同的过渡层和铜层,经电镀将真空溅射铜层进行加厚,实现陶瓷基板金属化.通过界面结合强度测试,分析了不同过渡层对界面结合强度的影响;利用SEM、DTA、XRD等研究了直接覆铜陶瓷板截面形貌及在高温退火后的界面行为.结果表明,与无过渡层和AlOx过渡层相比Cr、Ti可大幅度提高界面粘附强度,在550℃退火后Cr和Ti在界面处和铜层发生合金化作用,甚至生成金属间化合物,Cr和Ti元素与Al2O3和AlN基体以及铜层具有强的相互作用,过渡层的引入可大幅度提高覆铜层和陶瓷的结合强度,从而有效提高陶瓷覆铜板的使用可靠性.
2.高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究
- ZHANG Jing-xian;张景贤;段于森;DUAN Yu-sen;JIANG Dong-liang;江东亮;CHEN Zhong-ming;陈忠明;LIU Xue-jian;刘学建;HUANG Zheng-ren;黄政仁;YANG Jian;扬建;李晓云;LI Xiao-yun;QIU Tai;丘泰
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜.进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯.通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76W/m·K.
3.系统级封装用陶瓷基板材料研究进展和发展趋势
- GAO Ling;高岭;ZHAO Dong-liang;赵东亮
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：系统级封装技术能够将不同类型的元件通过不同的技术混载于同一封装之内,是实现集成微系统封装的重要技术,在航空航天、生命科学等领域中有广阔的应用前景.陶瓷基板材料是系统级封装技术的基础材料之一，对电路起到支撑和绝缘的作用。介绍了系统级封装技术的概念及其特点,分析几种系统级封装用陶瓷基板材料的优缺点,同时指出了陶瓷基板材料的未来发展趋势.未来电子封装材料将会朝着多相复合化的方向持续发展，例如具有系列化性能的材料、超高导热陶瓷材料、新型纳米陶瓷、低维材料等，以达到良好的散热作用，而基体材料可以采用机械性能良好材料起到良好的支撑作用。
4.氮化铝陶瓷烧结和显微结构
- GAO Long-qiao;高陇桥;HE Xiao-mei;何晓梅;LIU Zheng;刘征
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
5.AlN陶瓷Mo-Mn法金属化研究
- CAO Chang-wei;曹昌伟;FENG Yong-bao;冯永宝;LI Jun;李军
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：随着微电子技术的快速发展，混合集成电路(HIC)和多芯片组件(McM)方面对陶瓷封装材料提出了更高的要求。氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的综合性能,在微电子和微波真空管等电子工业领域中有广泛的应用.以Mo、Mn、MnO、Al2O3、SiO2和CaO等(粒径＜10μm)为原料,在氧化之后的AlN陶瓷表面烧结制得金属化层.通过X射线衍射、扫描电镜及能量色散谱对金属层做物相、显微形貌及能谱成分分析,初步探讨该金属化法的结合机理.结果表明:AlN陶瓷在空气气氛中经过1100℃保温3h高温处理之后,表面生成一层氧化铝(Al2O3),金属化层与陶瓷之间的结合强度超过55MPa.结合机理是:玻璃相的相互迁移渗透在陶瓷与金属层之间形成机械结合,新共熔物(CaO)12(Al2O3)7的生成也有助于提高结合强度.
6.BaO-MgO-Y2O3烧结助剂对SiC-AlN复相陶瓷性能的影响
- WANG Yu-chun;王玉春;YANG Qun;杨群;LI Xin;李鑫;LI Xiao-yun;李晓云;FENG Yong-bao;冯永宝;YANG Jian;杨建
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：以BaO-MgO-Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC AlN复相陶瓷.研究了不同助剂的含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用.烧结助剂含量为6％(质量比)时,样品显气孔率较大;提高助剂含量,样品显气孔率显著降低.复相陶瓷在烧结助剂含量为10％时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.30％.在烧结助剂含量为10％时,样品具有最高的热导率43W·m-1·K-1.复相陶瓷的热导率主要受样品致密性和晶界相的影响,不足或过量的烧结助剂都会使样品的热导率降低.
7.原位法制备AlN-TiN复相陶瓷性能的研究
- YANG Qun;杨群;WANG Yu-chun;王玉春;LI Xiao-yun;李晓云;FENG Yong-bao;冯永宝;YANG Jian;杨建;QIU Tai;丘泰
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：以Y2O3(5％)(质量比)和TiO2为添加剂,采用无压烧结工艺在1900℃、N2气氛下原位法制备了AlN-TiN复相陶瓷,研究了不同TiO2含量对复相陶瓷物相组成、致密性和导热性能的影响.结果表明:1900℃烧成温度下,复相陶瓷主晶相为AlN和TiN,次晶相为Al2O3和YAlO3,TiO2与AlN反应原位生成了TiN.适量的Y2O3-TiO2添加剂能够对AlN-TiN复相陶瓷起到促进烧结的作用.随着TiO2含量的增加,材料的气孔率呈先减小再增大的趋势,材料的热导率呈下降趋势.当TiO2添加量为6％时,材料的显气孔率最低,为0.21％,相应热导率为104W/m·K.
8.BeO-SiC复合衰减材料的制备及其性能
- GUAN Jian-bo;管建波;WEI Fang-ming;韦方明;ZENG Zhi-yan;曾志彦
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：以氧化铍、碳化硅为原料.采用热压烧结工艺,在1800～1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合陶瓷材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能.研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1800～1900℃制备组织致密均匀的BeO-SiC复合材料;采用SiC为原料的BeO-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能.
9.0.6ZrO2-0.4(Zn1/3Nb2/3)O2-xSnO2-yTiO2微波介质陶瓷的介电性能
- ZHU Hang-sheng;祝杭升;CUI Zhi-yuan;崔志远;QIN Zhong-hua;秦中华;SHEN Chun-ying;沈春英;QIU Tai;丘泰
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：采用固相法合成了0.6ZrO2-0.4(Zn1/3Nb2/3)O2-zSnO2-yTiO2系列微波介质陶瓷(0.6+0.4+x+y=2),研究了该体系陶瓷材料组成、微观结构和微波介电性能.实验发现用(Zn1/3Nb2/3)4+来取代ZrO2-TiO2基陶瓷的Zr4+,一方面可以降低陶瓷的烧结温度,加速其致密化进程,还可以提升其介电性能.另一方面,通过Sn4+部分取代Zr4+或Ti4+,既可以抑制ZrO2-TiO2二元系统长程有序的离子排布进程,也可以增加其固溶度,并使该系统在常温下保持高温无序ZrTiO4相.当x=0.2,在1220℃下烧结3h后,陶瓷得到优异的介电性能:εr=36.59,Q×f=43200GHz,τf=-5.9×10-6/℃.
10.Zn取代对0.85MgTiO3-0.15Ca0.6La0.8/3TiO3微波介质陶瓷性能的影响
- LIU Ji;刘稷;ZHONG Chao-wei;钟朝位;CHEN Song;陈松;TAO Yu;陶煜
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：采用Zn2+对0.85MgTiO3-0.15Ca0.6La0.8/3TiO3陶瓷进行A位取代,研究了Zn2+取代对其结构与性能的影响规律.实验结果表明:少量Zn2+的取代没有改变陶瓷的物相组成,扫描电子显微镜图显示Zn的取代可以促进陶瓷晶粒生长,使陶瓷的密度变大,介电常数有所提高,但由于在高温下Zn元素的挥发使得体系中生成了更多的A位离子空位,使得该材料损耗变大.谐振频率温度系数向负方向变大,由+2.1×10-6/℃变化为-2.3×10-6/℃.
11.溶液燃烧合成制备钨阴极纳米粉末的研究
- CHEN Peng-qi;陈鹏起;QIN Ming-li;秦明礼;ZHAO Shang-jie;赵尚节;CHEN Zheng;陈峥;LI Rui;李睿;QU Xuan-hui;曲选辉
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
12.金属注射成形制备多孔钨阴极基底
- LI Rui;李睿;QIN Ming-li;秦明礼;CHEN Peng-qi;陈鹏起;ZHANG Huai-long;张怀龙;ZHAO Shang-jie;赵尚节;CHEN Zheng;陈峥;QU Xuan-hui;曲选辉
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：采用金属粉末注射成形技术成功制得了尺寸精度高表面质量好以及具有优良孔隙特性的纯钨.利用扫描电镜表征其断口形貌,利用压汞法分析了阴极的孔隙特性.研究表明,经1900℃烧结180min后开孔孔隙率为24.58％,阴极平均孔径在1.91μm.经注射成形制备得到的多孔阴极基底孔隙分布均匀,孔隙连通度好.
13.大功率速调管用TiO2衰减瓷及其金属化工艺研究
- LIANG Tian;梁田;邓家成;DENG Jia-cheng;YANG Lei;杨磊;LIN Xiong-wen;林雄文;ZOU Jian-jun;邹建军;LIU Yang;刘洋;刘海楠;LIU Hai-nan;SUN Zi-qiang;孙自强
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
14.高纯氧化铝陶瓷的制备工艺研究
- YANG Lei;杨磊;LIANG Tian;粱田;LIU Yang;刘洋;REN Zhong;任重
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
15.非氧化物陶瓷与金属接合的热处理设备
- GONG Hao;贡昊;GU Zhen;顾臻;WANG Jing-zhu;王金竹
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：非氧化物陶瓷的优良特性确立了在高新技术领域的广泛应用地位.非氧化物陶瓷在高新技术领域的应用,往往需要与金属接合.本文简述了不同接合工艺对热处理设备的技术要求,并详细介绍了用于非氧化物陶瓷-非氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷-金属接合工艺的真空热压烧结炉、真空烧结炉、还原退火炉的主要特点和各项技术参数.
16.Ka波段800W耦合腔行波管研制
- WANG Juan;王娟;WU Gang;吴刚;SU Xiao-gang;苏小刚
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
17.速调管用铜铁复合材料焊接工艺探索
- ZHENG Jian-yi;郑建一;LI Dong-feng;李冬凤;WANG Fei;王飞
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：复合材料已经较为普遍地应用于速调管和行波管中,其中铜-铁复合材料主要用作速调管的磁屏部件.大面积铜-铁材料的焊接一直是速调管的工艺难点.课题组对不同的焊接方法进行了尝试,包括氢炉钎焊、压力扩散焊、热等静压焊接和3D打印等,对不同焊接方法进行了比较,解决了速调管用铜铁复合材料的大面积焊接难题,促进了速调管的研制和生产.其中氢炉钎焊在大面积异种金属时不能满足要求；利用压力扩散焊炉体进行的变相钎焊可以达到要求，但贵金属焊料的使用提高了成产成本，限制了大批量生产；单纯的压力扩散焊在技术上可行，但在控制变形量方面还需进行多次试验；热等静压焊接技术不仅解决了焊接强度、气密性等技术难题，也利用横向放置多个工件的方法有效的降低了成本，热等静压焊接技术可以满足磁屏部件的生产需求。3D打印技术也为磁屏生产提供了一种可行性途径。
18.真空扩散焊炉压头的设计和压力试验
- LU Shao-bo;卢少波;WANG Cheng-zhang;王承章;ZHANG Ji-feng;张吉峰
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》
摘要：压头是真空扩散焊炉中的核心组件,压头的设计至关重要.本文对压头的选材、结构设计和应力校核等作了介绍,并对压头平行度的调整和试验方法做了详细的介绍.测试结果表明,压头选材和设计合理,压头结构从冷区到热区的过渡设计,以及压头平行度等从粗调到精调的方法,完全能满足技术指标的要求,对同类型的真空扩散焊炉设计和试验有参考价值.
19.国产空间行波管放大器可靠性统计分析
- FENG Xi-xian;冯西贤;WANG Yong;王勇
- 《全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会》