一种新结构硅TPJBS二极管的器件与工艺仿真

摘要

提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合(TPJBS)二极管新结构.采用半导体器件与工艺仿真软件TCAD对这种结构的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真,结果表明,这种结构具有通态电流大,导通电阻低,击穿电压高的优点,更适合需要较高反压快速恢复二极管的系统应用.采用TCAD对这种结构进行了工艺仿真,论证了在目前的工艺条件下,这种器件结构的可制造性,具有很强的实用性.