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(In)GaN材料中的非辐射复合研究

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文中采用MOCVD法生长了n型AlGaN/GaN和n型GaN/InGaN双异质结并进行了变温光荧光表征.对于735℃下生长的低组分InGaN,非辐射复合概率为1.6×106s-1;对于GaN,当生长温度从735℃升高到1007℃时,GaN的非辐射复合概率由6.1×108s-1降为3.5×108s-1.实验表明低温生长的低组分InGaN中的非辐射复合速率远低于GaN,生长温度的提升对GaN材料中非辐射复合的影响并不显著.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||114-115|共2页
会议地点西宁
作者
张峰; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 田爱琴; 温鹏雁; 程洋; 范晓望; 李德尧; 张立群; 杨辉;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
半导体材料; 氮化镓; 氮化铟镓; 异质结; 金属有机气相外延; 非辐射复合概率;

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