一种新型GaN HEMT寄生电容优化提参法

摘要

针对优化提参复杂度的问题,本文提出了一种新的提取寄生电容方法,提取寄生电容时对参数设置合适的优化范围,进行优化提参,一共经过三次参数优化,使得优化精度以及模型准确性得到保证,避免了循环优化,提高了提参优化精度.该方法还不依赖器件具体结构,从而减少了由于对器件结构假设所带来的误差.本文对17元件小信号等效电路模型参数进行提取验证该方法的可靠性,仿真所得S参数与实测的S参数拟合度较好,拟合的最高频率可达到30GHz.