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基于非合金欧姆接触的InAlN/GaN HFET高频器件研究

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本文基于超薄势垒的InAlN/GaN异质结材料,通过优化干法刻蚀和n+GaN外延工艺,实现非合金欧姆接触总电阻值达到0.16Ω.mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用再生长n+GaN非合金欧姆接触工艺大幅缩小器件源漏有效间距.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.分别采用34nm直栅和40nm T型栅制备了fT和fmax为350GHz和400GHz的InAlN/GaN HFET高频器件,这是国内目前GaN HFET器件频率特性报道最高结果.

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来源
《第十八届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》||46-49|共4页
会议地点厦门
作者
Yuanjie Lv; 吕元杰; Xubo Song; 宋旭波; Xin Tan; 谭鑫; Tingting Han; 韩婷婷; Zhirong Zhang; 张志荣; Yulong Fang; 房玉龙; Zhihong Feng; 冯志红;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化铟铝; 氮化镓; 电流增益截止频率; 最大震荡频率; 非合金欧姆接触;

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