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Shichang Zhong; 钟世昌; Tangshen Chen; 陈堂胜; Yuchao Li; 李宇超; Yonggang Xu; 徐永刚; Tao Gao; 高涛;
中国电子学会;
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 功率管; 内匹配; 功率附加效率;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:应用于Si板上的GAN功率器件和功率转换器件
机译:超薄屏障AlGaN / GaN异质结构:用于制造和整合GaN的功率器件和动力驱动电路的无凹陷技术
机译:基于GaN的功率器件结构空缺型缺陷 - ION植入GaN的缺陷表征GaN和Al 2 INF> O 3 INF> / GAN -
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理器件仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:基于GaN功率器件的GaN电池充电器体系结构
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