基于InP HBT与Si CMOS异质集成的超高速电路

摘要

国际半导体技术发展路线图(ITRS)更名为国际器件与系统路线图(IRDS),表明单纯器件技术发展遇到瓶颈,器件与系统的联动发展已成为半导体技术发展的主题.基于不同材料、不同结构器件性能优势,实现电路或系统整体性能提升的射频微系统技术是新一代的半导体射频电路和系统工艺技术.报告了基于外延层转移的InP HBT与Si CMOS异质集成工艺技术，实现了异质互联长度达到3μm、异质互联间距小于8μm的InP HBT与Si CMOS晶体管级异质互联，转移到Si CMOS上的InP HBT电性能保持不变。基于该工艺研制的速率12GHz、降速比1:16的量化降速电路，其功耗为1.4W，灵敏度和动态范围分别为-25dBm、30dBc，充分体现了InP HBT与Si CMOS异质集成的高速率、低功耗等性能优势，展示出异质集成技术应用于超高速电路研制的广阔前景。