4英寸低位错InP和GaSb单晶生长及衬底制备技术进展

摘要

随着新型光通信器件、红外探测器面阵、毫米波器件及电路制造技术发展和市场应用的不断增长,对4英寸直径低位错密度InP和GaSb单晶衬底的需求不断增加.本文介绍了4英寸直径InP单晶垂直温度梯度凝固法(VGF)生长技术和4英寸直径GaSb单晶液封直拉法(LEC)生长、衬底制备技术进展及相关研究结果.通过热场优化、控制化学配比、退火处理等,制备出位错腐蚀坑密度(EPD)低于1000cm-2的4英寸掺硫InP单晶衬底材料和EPD小于1000cm-2的4英寸GaSb单晶衬底.针对VGF法生长过程中容易出现的组份过冷生长、孪晶等问题以及改善GaSb单晶的透光率、电学均匀性等问题开展了专门的研究.