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Kun Wang; 王琨; Hongling Xiao; 肖红领; Xiaoliang Wang; 王晓亮; Weikun Ge; 葛惟昆; Quan Wang; 王权; Jiayan Chu; 储佳焰;
中国电子学会;
太阳能电池; 极化效应; 氮化铟镓; 氮化镓;
机译:具有超薄GaN中间层的n-GaN / i-InGaN / p-Gan太阳能电池的极化效应建模
机译:具有GaN / InGaN / GaN三角势垒的InGaN发光二极管中的极化效应得到抑制并增强了载流子限制
机译:InGaN / GaN p-i-n太阳能电池中低p-GaN掺杂密度下的极化补偿:InGaN中间层的影响
机译:利用极化效应优化InGaN太阳能电池的GaN窗口层
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:通过插入薄的GaN盖层来增强InGaN / GaN多量子阱太阳能电池的光伏响应
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:基于半导体GAN:P / INGAN / GAN:N的立方晶格太阳能电池,在氧化镁,MGO上呈立方相,在两个侧面上均可发光。
机译:GaN纳米针的无催化剂生长及其在InGaN / GaN可见光LED中的应用
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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