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Guangrun Zhu; 朱广润; Kai Zhang; 张凯; Xinxin Yu; 郁鑫鑫; Yuechan Kong; 孔月婵;
中国电子学会;
高电子迁移率晶体管; 氮化铟铝镓; 超薄势垒层; 氮化镓;
机译:GaN / InAlGaN / GaN多重势垒提高了基于InGaN的多量子阱发光二极管的光输出功率
机译:用于HEMT的具有超薄厚度的四元InAlGaN势垒的生长
机译:沟道厚度对具有AlGaN背势垒的InAlGaN / AlN / GaN HEMT中大信号性能的影响
机译:适用于W波段大功率放大器的InAlGaN / GaN-HEMT器件技术
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:GaN /衬底热边界电阻对HEmT器件的影响
机译:具有InAlGaN势垒的基于III-N的高功率晶体管
机译:GaN HEMT器件结构和制造方法
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