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Jialei Yuan; 袁佳磊; Yuan Jiang; 蒋元; Chuan Qin; 秦川; Xumin Gao; 高绪敏; Yongjin Wang; 王永进;
中国电子学会;
圆盘定向耦合半导体器件; 制备工艺; 氮化镓; 硅衬底; 光子回路; 光通信;
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:硅衬底上基于氮化镓的功率器件
机译:比较光学光谱法沉积在硅衬底上的氮化镓和氮化铝纳米结构
机译:碳化硅衬底上氮化镓和氮化铝膜的五元外延和异质结构
机译:氮化铝镓定向耦合器开关。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征
机译:氮化镓上的LED与铝/氮化镓上的器件的集成,氮化镓在LED AC的硅衬底上的集成
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:氮化镓上的LED与铝-氮化镓/氮化硅上的仪器在交流LED硅衬底上的集成
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