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胡维央;
中国电子学会通信学会;
光电探测器;
机译:使用顺序制造工艺的INGAAS光电探测器INGAAS光电探测器的单片3D集成
机译:气体源MBE生长的InGaAs变质InGaAs光电探测器,使用InAlAs缓冲层和截止波长高达2.7μm的盖层
机译:InGaAs,扩展IngaAs和短波HGCDTE探测器的性能比较在1μm和2.5μm之间
机译:InGaAs / InP PIN光电探测器的材料表征
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:通过InGaas-InGaasp量子阱结构的选择性混合来集成波导型波长解复用光电探测器
机译:多堆Inas / InGaas亚单层量子点红外光电探测器。
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:InGaAs / InP红外光电探测器聚焦平面阵列(ODD)的结构及其制备方法
机译:具有平面结构的基于Ingaas的原始光电探测器结构及其制造方法。
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