40nm工艺多端口寄存器文件设计

摘要

本文介绍了40nm工艺下一款16×36b7读6写的寄存器文件全定制设计,采用读写阵列分离策略,支持32位和36位两种写入操作.为了解决多个读端口读同一地址时读出过慢的问题,提出了一种基于与或非逻辑搭建的16选1读出电路.读写阵列分离的应用,压缩了读出位线的线长,提高了读出速度.版图后的模拟结果表明,在Typical Corner工作条件下,寄存器文件相对于读地址变化的读出延时为217ps,写后读延时为440ps,平均功耗为11.18mW.