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罗宏伟; 孔学东;
中国电子学会;
半导体器件; 集成电路; 击穿效应; 热载流子; 可靠性评价;
机译:恒压应力和衬底热载流子注入下超薄栅氧化物MOS电容器的TDDB特性
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机译:在BTI和TDDB降级的情况下提高微处理器的可靠性。
机译:城市综合承载力评价模型-以哈尔滨市为例
机译:可靠性的逻辑综合-控制电迁移和热载流子效应的早期开始
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机译:利用TDDB应力可靠性机制创建具有多比特容量的OTPROM阵列的方法
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