低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇

摘要

该文较为详细地分析了在低电源电压条件下，薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件的热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题对电路性能的影响。ＳＯＩ器件在低压低功耗领域的许多优势是体硅器件难以达到的，它有效地克服了体硅ＣＭＯＳ电路中的热载流子、软失效、速度低等问题。薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成电路的理想技术，同时低压低功耗集成电路的飞速发展也为ＳＯＩ技术提供了一个新的机遇。