电子束蒸发沉积的纳米硅－氧化硅江膜的发光及其氧的存在形态

摘要

通过改变蒸发源、衬底温度和氧的流量，用电子束蒸发法制备了Ｓｉ／ＳｉＯｘ薄膜。实验发现氧的存在形态跟蒸发条件密切相关；对以硅为发源的样品，只观察到间隙氧和ＳｉＯｘ，衬底温度较低时，以间隙氧形态存在，随着衬底温度的升高，ＳｉＯｘ量逐渐增多，间隙氧逐渐减少，氧流量的增加有利于间隙氧的存在和氧含量的增加；对以ＳｉＯ为蒸发源的样品，衬底温度较低时，主要以间隙氧的形态存在，同时存在ＳｉＯ〈，２〉和ＳｉＯｘ，８００℃退火后，ＳｉＯｘ增多，同时产生大量ＳｉＯ〈，２〉白硅石。荧光光谱（ＰＬ）表明薄膜的发光是量子效应发光。