C布增韧SiC基复合材料制备新工艺及其微观结构

摘要

连续同步复合法是以传统CVI工艺基本原理为基础而发展起来的制备C布增韧陶瓷基复合材料的新工艺.在制备C/SiC复合材料过程中,底部发热体的加热使石墨衬底获得了一个由高温区(1000-1200°C)、中温区(900-1000°C)和低温区(700-900°C)组成的理想梯度温度场,并在以MTS为先驱体、H<,2>为载气和Ar为稀释气体的条件下,C布通过石墨衬底旋转而缠绕,使其宏观孔隙与微观孔隙在不同的温度区域同时填充致密化.在本研究中,制备的C/SiC部件致密度均匀,MTS的转化率为11-27℅.