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刘肇萌; 郝永传; 胡克昌; 李毅; 张志萍;
中国质谱学会;
中国物理学会;
生物体; 低能重金属离子; 深度定标; 浓度分布;
机译:克服Si_(1-x)Ge_(x)/ Ge量子阱结构的定量超低能量二次离子质谱深度分布图的低Ge电离和侵蚀速率变化
机译:硅中低能银离子注入深度剖面中元素浓度的饱和度研究
机译:使用超低能Cs〜+二次离子质谱法研究SiGeδ掺杂多层膜中的深度分辨率
机译:通过散布探针和二次离子质谱法通过扩散探针和二次离子质谱法研究薄外延硅层的掺杂剂分布
机译:使用依赖于深度的阴极发光光谱法和二次离子质谱法研究氮化铝镓膜和镍/氮化铝镓肖特基二极管。
机译:校正:花生低能C +离子注入的生长及其光合特性的研究
机译:通过微聚焦掠射X射线荧光和掠入射X射线荧光对Si和Ge中低能离子注入的深度分布进行分析
机译:用离子注入和二次离子质谱法测量单晶Nial中铁和碳的扩散
机译:用于半导体中掺杂材料深度分布测量的二次离子质谱仪-具有粒子束源和质谱仪,用于检测样品表面的二次离子
机译:二次离子质谱法测定样品深度方向浓度分布的方法
机译:带有离子注入功能的定量分析样品和离子注入及二次离子质谱仪
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