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1.3μm 10Gbit/s无致冷直接调制AlGaInAs FP激光器

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通过采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术,我们成功制作出高速率1.3μm倒台形脊波导结构的无致冷AlGaInAs/InP直接调制FP激光器.对制作出的器件进行了包括高频测试的测量.结果显示器件的I<,th>为12mA,电阻为6Ω,外微分量子效率η为0.49mW/mA,小信号高频响应的3dB带宽大于10Gbit/s.

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来源
《全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO'2003)》|2003年|625-627|共3页
会议地点南京
作者
张军; 王定理; 刘应军; 常进; 李林松; 甘毅; 黄晓东; 刘涛; 祝宁华;
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作者单位

中国光学学会;

中国通信学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类激光器;
关键词
FP激光器; 高频测试; AlGaInAs材料;

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1.3μm 10Gbit/s无致冷直接调制AlGaInAs FP激光器

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