InGaN/GaN MQW紫光LED的光学和电学性质

摘要

利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-Al<,2>O<,3>)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TMGa)为N、In、Ga源SiH<,4>和Cp<,2>Mg分别作为n、p型掺杂剂.