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氮化镓基蓝光发光二极管瞬态光荧光谱的研究

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本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|90-90|共1页
会议地点牡丹江
作者
胡卉; 郭文平; 邵嘉平; 周晓滢; 韩彦军; 薛松; 孙长征; 罗毅;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN312.8;
关键词
氮化镓; 发光二极管; 瞬态光荧光谱; 金属有机化学气相淀积;

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