脉冲激光沉积法合成Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜及其光吸收特性

摘要

控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜材料.结果发现,SiO<,2>基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200nm—450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.