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快速退火对PZT铁电薄膜结构和性能的影响

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采用射频磁控溅射方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出厚450nm的PZT铁电薄膜.在550℃、600℃、650℃和700℃下对PZT铁电薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射和原子力显微镜研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌和热释电性能.PZT铁电薄膜在600℃快速退火后,已经形成完整的钙钛矿相结构、薄膜晶粒均匀、表面平整.在650℃快速退后PZT铁电薄膜具有较好的热释电性能,热释电系数达1.5×10-8C.cm-2.k-1.得出650℃为PZT铁电薄膜的最佳退火温度.

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来源
《第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光电子技术交流会》|2005年|182-186|共5页
会议地点云南西双版纳
作者
李振豪; 王忠华; 李琳; 信思树; 普朝光; 杨培志;
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作者单位

中国兵工学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM223;TM205.1;
关键词
锆钛酸铅; 铁电薄膜; 快速退火; X射线衍射; 原子力显微镜; 热释电性能;

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