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退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响

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用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.研究了不同退火工艺对PLT薄膜结构的影响.发现在PbO气氛下退火能很好地抑制铅的挥发而得到具有钙钛矿结构的PLT薄膜.随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的相经历了钙钛矿相-焦绿石相共存→纯钙钛矿相→钙钛矿相-焦绿石相共存的变化.探讨了焦绿石相的结构在铁电薄膜中的成因.发现随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的晶粒逐渐增大,钙钛矿相质量百分比越高,轴比(c/a)也越大,PLT薄膜的铁电性越强.

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来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|477-480|共4页
会议地点成都
作者
刘洪; 蒲朝辉; 吴家刚; 朱基亮; 肖定全; 朱建国;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
掺镧钛酸铅; 铁电薄膜; 退火工艺; 射频磁控溅射法; 钙钛矿结构; PLT薄膜;

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