超大规模集成电路中铜互连的制备技术

摘要

集成电路中铜的制备方法通常是先做一层薄薄的种籽层，然后电镀铜(ECP)，再进行化学机械抛光(UP)来形成嵌入式的铜互连结构。铜种籽层的淀积技术主要有溅射(Sputter)，化学气相淀积(CVD)和原子层淀积(ALD).连同铜的电镀技术，比较了上述几种制备方法的特点。本文则将对这些制备方法的基本原理和最新进展进行了介绍。