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张荣跻; 刘建强;
电信科学技术研究院;
北京100191;
中芯国际集成电路制造有限公司;
北京100176;
NDC; 介质层; 气体; 铜互连;
机译:集成气体簇工艺以实现铜互连的可靠性和对BEOL介电材料的工艺影响评估
机译:使用90 nm节点技术的气隙铜互连的工艺和可靠性
机译:在N_2和N_2样气体中的电子诱导NDC的NDC:温度和碰撞操作员近似的作用
机译:图案密度和工艺变化对低k铜互连中多级电容结构可靠性性能的影响研究
机译:表面光洁度和金属间化合物对锡-银-铜互连的可靠性的影响。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:保护气体中CO2中添加的O2量对采用GMAW工艺的低碳钢直边焊缝中沉积的金属的微观结构的影响;保护气体中CO2中添加的O2含量的影响; GMAW工艺在低碳钢直边对接焊缝中熔敷金属的显微组织研究
机译:接触电阻以及材料和工艺变量对开关装置中接触电阻和接触可靠性的影响
机译:半导体器件中防止铜互连氧化的方法,包括蚀刻氮化物层以暴露下铜互连的一部分,并向下铜互连的暴露的部分供应预设气体。
机译:改善铜互连工艺和铜互连蚀刻装置中的液体和液体的寿命的方法
机译:形成半导体器件铜互连以提高铜互连可靠性的方法
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