U-Nb合金杂质元素晶界偏聚研究

摘要

采用俄歇电子能谱仪研究了P在U-Nb合金晶界上的偏聚行为.结果表明:铸态和均匀化后U-Nb试样晶界上存在P的偏聚能量峰,P择优偏聚在晶界上富U区域.低温时效后试样沿晶断裂比例大大减小,高温时效试样晶界断口有析出物存在。