氮化硅含量对氮化硅-碳化硅材料抗电解质侵蚀性能的影响

摘要

以SiC颗粒和细粉、金属Si粉为主要原料,调整Si含量,制备了不同Si3N4含量的反应烧结Si3N4结合SiC材料,采用气氛控制动态侵蚀法研究材料的抗电解质侵蚀性能,并对侵蚀结果进行分析.结果表明,Si3N4含量增加,材料的气孔率降低,抗电解质侵蚀能力提高.