快速退火的保温时间对射频磁控溅射制备的Bi:YIG在太赫兹频段损耗的影响

摘要

用JGP200磁控溅射仪在射频功率为90W、氩气压强为0.8Pa、氩气流速为5sccm,衬底温度350℃等条件下用16h在单晶高纯高阻本征硅(111)基片上制备了Bi:YIG薄膜,再在AG4100型快速退火炉以较快的升温速度(30℃/s)快速升至700℃,保温时间分别为20s、90s、300s和600s,再快速冷却至室温.制备的Bi:YIG薄膜样品经太赫兹时域谱测试系统测试,将时域谱信号经快速傅立叶变换后转为频域谱信号分析得知经300s退火的样品在0-2THz频段损耗最小.