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谢宁致; 祝巍;
中国科学技术大学少年班学院,安徽合肥230026;
中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心,安徽合肥230026;
AZO薄膜; 磁控溅射; 衬底温度; 真空退火; 电学性能;
机译:室温条件下射频磁控溅射法制备AZO薄膜的结构与光电性能
机译:退火和沉积温度对AZO薄膜结构和光学性能的影响
机译:沉积温度对射频反应磁控溅射在玻璃上生长氮掺杂AZO薄膜性能的影响
机译:制备条件对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜性能的影响
机译:温度和沉积物沉积物或水中的沉积对培养的贾第鞭毛虫兰氏囊肿生存力的影响,这由荧光染料确定。
机译:生长温度对使用CpZr N(CH3)2 3 / C7H8鸡尾酒前体原子层沉积制备的ZrO2薄膜的结构和电性能的影响
机译:沉积温度对化学浴沉积法制备的硫化铜铋(CuBis2)薄膜结构,光学和电学性能的影响
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<间歇磁控溅射法制备微球pt涂层的研究进展>>相似的文献
机译:磁控溅射法制备反应膜的沉积装置及沉积方法
机译:制备纳米尺寸金属氧化物添加剂的方法,该添加剂可降低烧结温度和/或提高陶瓷零件的生产效率,改善机械性能而又不影响陶瓷体,板材或涂层的粉化性能
机译:制备可降低烧结件温度和/或提高陶瓷零件生产效率,改善机械性能而又不影响陶瓷本体,砖或涂层的氧化性能的纳米金属氧化物添加剂的方法
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