b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜的介电性能

摘要

采用脉冲激光沉积技术,在MgO(100)衬底上制备了b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜,重点研究了其介电性能.结果表明,在衬底温度973K、氧分压12.5Pa条件下成功获得了高b轴择优取向、表面平整、结晶良好的BaTi2O5薄膜.该薄膜具有较高的居里温度(750K),100kHz频率下介电常数达2000,而且随温度的升高,其导电性提高,活化能约为1.25eV.