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C轴择优取向ZnO薄膜的微区压电特性分析

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采用激光脉冲沉积系统在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射方法对其结构进行了表征,结果表明,所制备的ZnO薄膜具有优良的c轴取向和高质量的结晶度.采用扫描隧道显微镜测得ZnO薄膜微区的压电常数d33大约为13.8pm/V.并根据微区压电特性与ZnO薄膜的生长具有极性的特点对薄膜的生长机理进行了研究.得出了ZnO的生长方向为[0001],从而证实了ZnO薄膜生长过程中(0001)Zn面是易生长面.

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来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|371-374|共4页
会议地点成都
作者
程和; 李燕; 邓宏;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的性质;压电陶瓷材料;
关键词
ZnO薄膜; 择优取向; 微区压电特性; 极性; 激光脉冲沉积;

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