n/p型Si衬底对ZnO薄膜结构及导电类型的影响

摘要

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,分别在n型和p型Si(100)衬底上制备N-Al共掺ZnO薄膜,研究了硅衬底的导电类型对结构及导电类型的影响.Hall测量显示n型Si衬底上生长的ZnO薄膜为p型导电,p型Si衬底上生长的ZnO薄膜为n型导电.对样品进行氧等离子体退火,其导电类型不变.表明硅衬底化学势高时有利于ZnO薄膜中受主缺陷的形成.X射线衍射(XRD)结果表明n型Si上薄膜退火前后均具有较高的晶格质量,而p型Si上薄膜c轴取向性较弱且有其他晶面衍射峰出现,退火后更为明显,较多的结构缺陷阻碍了薄膜的p型转变.