退火时间对射频溅射p型透明SnO_2/Al/SnO_2导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响(英文)

摘要

采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火处理,研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。X射线衍射结果表明:所制备的p型导电薄膜具有四方金红石型多晶SnO2结构。霍尔效应结果显示:500°C,1 h为最佳退火条件,该条件下SnO2/Al/SnO2复合薄膜的孔隙浓度为1.14×1018 cm-3、电阻率为1.38?·cm。退火时间为1~8 h时,p型SnO2/Al/SnO2复合薄膜的光透射率可达80%以上,退火1 h时薄膜的光透射率达到最大值。