电子辅助化学气相沉积纳米金刚石膜及其光电性的研究

摘要

报道了电子轰击化学气相沉积生长表面对纳米金刚石薄膜成核、生长机制及其光电性能的影响关系。研究了电子诱导脱氢对表面生长台阶等表面几何结构演化的影响关系。运用拉曼光谱、XRD、光致发光谱、霍尔效应测试等方法,研究了电子诱导脱氢生成的缺陷对薄膜光电性能的影响关系,发现电子轰击使纳米金刚石薄膜呈现较强的非本征p型半导体特性,纳米金刚石薄膜空穴浓度达到1014cm-2以上.发现电子轰击使纳米金刚石薄膜具有很强的兰色光致发光性能(在470nm).