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中国电子学会;
广州市科协;
氮化镓; 垂直腔面发射; 激光器; 介质膜; 激光剥离; 能量密度;
机译:使用具有渐变界面的n型导电AllnN / GaN底部分布布拉格反射器的GaN基垂直腔面发射激光器
机译:具有n型导电AllnN / GaN分布布拉格反射器的GaN基垂直腔面发射激光器的室温连续波操作
机译:AlN-GaN和Ta_(2)O_(5)-SiO_(2)分布式布拉格反射镜的GaN基垂直腔面发射激光器的激光特性
机译:利用AlN / GaN和Ta 2 inf> 0 5 inf> / SiO 2 inf>分布式布拉格反射镜的光泵浦蓝色GaN基垂直腔面发射激光器
机译:Nanoporous GaN and Its Application in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers =氮化镓纳米孔洞及其在垂直腔面发射激光器中的应用
机译:GaN基垂直腔面发射激光器中腔长和散热的重要性
机译:GaN基垂直腔面发射激光器的研制
机译:GaN基纳米结构光子发射体的研制
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
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