化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响

摘要

通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-3英寸。rn 其中InP单晶的X-射线衍射摇摆曲线半峰宽为9-20弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的完整性。比较了明显富磷和富砷条件下分别生长的InP和InAs晶体的完整性和性能。结果表明保持稍富铟有利于生长高质量的InP和InAs单晶,其物理化学性质稳定,便于控制抛光清洗条件,获得高质量的抛光表面。