GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

吕小红; 赵有文; 孙文荣; 董志远

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GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

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通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|163-166|共4页
作者
吕小红; 赵有文; 孙文荣; 董志远;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

北京;

100083;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
CaSb; InAs; 单晶; 晶格缺陷;

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